ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM)

Семейство микросхем новой памяти открыла модель плотностью 64 Мбит. В перспективе производитель рассчитывает добраться до «гигабитной плотности» и повысить скорость памяти. Ознакомительные образцы микросхем Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM уже поступают заказчикам. Они выполнены в стандартных корпусах WBGA. В будущем году компания рассчитывает сделать микросхемы ST-MRAM широкодоступными.

Компания Everspin Technologies, объявила о выпуске первых микросхем магниторезистивной памяти ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM). Эта память характеризуется высоким быстродействием и долговечностью. Как утверждается, память ST-MRAM «преобразует архитектуру систем хранения».
К достоинствам ST-MRAM относится высокая энергетическая эффективность и способность хранить информацию в отсутствие питания. Предполагается, что на первом этапе ST-MRAM дополнит флэш-память в твердотельных накопителях.
Семейство микросхем новой памяти открыла модель плотностью 64 Мбит. В перспективе производитель рассчитывает добраться до «гигабитной плотности» и повысить скорость памяти. Ознакомительные образцы микросхем Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM уже поступают заказчикам. Они выполнены в стандартных корпусах WBGA. В будущем году компания рассчитывает сделать микросхемы ST-MRAM широкодоступными.
 

Комментарии (0)



Добавление комментариев закрыто.
Контакты
Сервисный центр по ремонту носителей информации и восстановлению данных